- 閃電修：三星在閃存峰會上的那些黑科技？
- 閃電修發(fā)布在 www.mngc.com.cn2018-08-23 18:01
擁有著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的三星電子，在閃存顆粒的研制上也有著相當(dāng)?shù)膶?shí)力。作為業(yè)界第一個(gè)研發(fā)出3D-NAND技術(shù)并將之應(yīng)用于固態(tài)硬盤上的廠商
第四代V-NAND技術(shù)
三星作為3D-NAND技術(shù)的鼻祖，一直都在研發(fā)更加可靠實(shí)用的3D NAND產(chǎn)品。而在此次峰會上，三星也推出了讓人期待依舊的第四代V-NAND技術(shù)。
第四代3D V-NAND立體堆疊技術(shù)最大的特點(diǎn)就是層數(shù)的增加以及容量的增加，層數(shù)上，由第三代的48層增至64層；容量上，單晶粒最大容量512Gb(64GB)，依舊支持TLC顆粒，同時(shí)IO接口傳輸速度也提高到了800Mbps。
基于此新技術(shù)，三星可以在單顆芯片封裝內(nèi)，做到1TB容量，甚至是13×11.5毫米的單芯片BGA SSD都能做到1TB。
對標(biāo)intel，推出“Z-NAND”技術(shù)
除了研發(fā)的新一代的V-NAND技術(shù)，三星還宣布了新的“Z-NAND”閃存技術(shù)、新的主控。據(jù)悉，新的“Z-SSD”硬盤，將介于傳統(tǒng)SSD和內(nèi)存之間，性能高于傳統(tǒng)NVMe、PRAM SSD，延遲則類似后者，能效也更高。
而從新聞稿看，Z-NAND并不是Intel、美光搞的那種混合式3D XPoint，因?yàn)槠浠窘Y(jié)構(gòu)和V-NAND是相通的，只不過加入了特殊電路和主控設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)性能最大化。
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